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金融界2024年11月13日消息，国家知识产权局信息显示，杭州镓仁半导体有限公司申请一项名为“氧化镓单晶生长装置和方法”的专利，公开号CN 118932478 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本申请提供了一种氧化镓单晶生长装置和方法，该装置包括炉体，穿设于所述上盖的上籽晶杆，穿设于所述下盖的下籽晶杆，绕设于炉筒外围的螺旋状感应线圈，用于提供高频交变磁场；感应线圈自上而下包括稳定线圈、悬浮加热线圈，稳定线圈通电后产生的电磁力与悬浮加热线圈通电后产生的电磁力方向相反，二者相互作用，以使投放于炉筒内的悬浮热源在工作状态下，稳定的悬浮于所述感应线圈围设出的工作区域。该方法通过感应线圈为悬浮热源加热，再使用悬浮热源为料棒加热得到悬浮熔体，籽晶与悬浮熔体接触并完成氧化镓单晶的生长，满足了无坩埚生长2英寸以上的大尺寸氧化镓单晶的需求。
本文源自：金融界
作者：情报员
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