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金融界2024年11月15日消息，国家知识产权局信息显示，成都高真科技有限公司申请一项名为“一种形成钴钛硅化物层的方法及半导体结构的制备方法”的专利，公开号 CN 118943010 A，申请日期为2024年4月。
专利摘要显示，本发明涉及一种形成钴钛硅化物层的方法及半导体结构的制备方法。一种形成钴钛硅化物层的方法，其包括下列步骤：以钴钛合金为靶材，在硅层上溅射钴钛层；利用快速热处理法加热所述钴钛层，使其转变为钴钛硅化物层。本发明解决了因钴氧化导致的硅过度生长问题，并且降低了硅化物层的缺陷率。
本文源自：金融界
作者：情报员
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