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金融界2024年11月15日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“射频传输元件及其制备方法、等离子体装置”的专利，公开号 CN 118942992 A，申请日期为 2023 年 5 月。
专利摘要显示，本发明公开了
一种射频传输元件及其制
备方法、等离子体装置。所
述射频传输元件与一射频
源相连，所述射频源用于发
送射频信号，所述射频传输元件包括：射频传递结构和保护层，
所述保护层位于所述射频传递结构的整个表面；其中，所述保
护层的材质包括类金刚石或金刚石。本发明通过在射频传递结
构的整个表面形成DLC或金刚石保护层，有效防止了射频传输
元件被氧化或腐蚀而引起导电性变化和外观差异所述保护层
具有优异的耐磨性和导热性，能够避免射频传输元件被划伤或
散热不畅等问题，延长其使用寿命。本发明还通过在射频传递
结构不同金属层之间形成DLC或金刚石阻挡层，有效阻挡了不
同金属层间的金属扩散，避免对射频传输元件导电性的影响。
本文源自：金融界
作者：情报员
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