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金融界2024年11月15日消息，国家知识产权局信息显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请一项名为“一种立式耐击穿的栅极介电层MOSFET器件”的专利，公开号CN 118943197 A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明公开了一种立式耐击穿的栅极介电层MOSFET器件，本发明涉及半导体功率器件技术领域，包括漏极电极，漏极电极的上方设置有导电衬底层，导电衬底层的上端两侧均设置有导电外延层，导电衬底层的上端中部设置有导电柱区，导电柱区的上方设置有栅介质层，两个导电外延层的上方均设置有缓冲结构，两个缓冲结构的上方分别设置有导电扩展层和导电阱区，导电扩展层的上方设置有导电源区，导电源区的上方、栅介质层的上方和导电阱区的上方共同设置有源极电极。该立式耐击穿的栅极介电层MOSFET器件，减少关断状态下的漏电流，能够消除双极退化效应，耐击穿效果好，从而降低开启电压和减小开关损耗，增加栅极介电层的安全可靠性。
本文源自：金融界
作者：情报员
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