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金融界2024年11月15日消息，国家知识产权局信息显示，湖南三安半导体有限责任公司申请一项名为“半导体外延结构、HEMT器件和半导体外延结构的制备方法”的专利，公开号CN 118943162 A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本公开涉及一种半导体外延结构、HEMT器件和半导体外延结构的制备方法，包括：衬底；设置在衬底上的化合物半导体复合结构，该化合物半导体复合结构包括第一半导体层以及设置在第一半导体层上的第二半导体层，且第一半导体层和第二半导体层形成具有二维电子气的异质结；设置在化合物半导体复合结构的相对两侧的两个电极区，其从第一半导体层内向化合物半导体复合结构远离衬底的一侧延伸；电极区包括靠近化合物半导体复合结构的第一掺杂区和远离化合物半导体复合结构的第二掺杂区，第一掺杂区位于第二掺杂区和化合物半导体复合结构之间，第一掺杂区的导电性大于第二掺杂区的导电性。该半导体外延结构可以降低导通电阻的同时保证半导体外延结构的外延品质。
本文源自：金融界
作者：情报员
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