【IC风云榜候选企业81】普赛斯仪表：半导体电性能测试领域的佼佼者，提供卓越解决方案

【编者按】自2020年举办以来，IC风云榜已成为半导体行业的年度盛事。今年新增12项奖项，共设39项大奖，进一步关注半导体投资与退出、科技前沿领域贡献、项目创新以及技术“出海”与拓展。评委会由超过100家半导体投资联盟会员单位及500+行业CEO组成。获奖名单将于2025半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼上揭晓。

【候选企业】武汉普赛斯仪表有限公司（以下简称：普赛斯仪表）

【候选奖项】年度最佳解决方案奖

武汉普赛斯仪表有限公司，自2019年成立以来，便作为武汉普赛斯电子股份有限公司的全资子公司，在半导体电性能测试仪表领域崭露头角。这家研发型企业，专注于半导体的电性能测试仪表的开发、生产与销售，以源表为核心产品，致力于为第三代半导体测试提供从材料、晶圆到器件的全系列解决方案。

武汉普赛斯仪表有限公司在自主研发方面取得了显著成果。该公司成功推出了高精度台式数字源表、脉冲式源表、集成插卡式源表、窄脉冲电流源以及高精度高压源测单元等一系列创新产品，填补了国产空白。这些产品不仅为半导体测试机厂家提供了相关测试仪表和测试平台，还提供了全面的技术服务，有效应对了行业对测试效率、测试精度以及低成本的挑战。

在源表领域，武汉普赛斯仪表有限公司更是走在了行业前列。2019年，该公司率先推出了±300V源表，这是国内第一台产业化的源表，具备电压源和电流源的双重功能，能够同步测量电流和电压，支持四象限工作。这一产品的成功推出，标志着公司在源测量单元的逻辑与算法方面取得了重大突破，为后续研发高精度高压源测量单元设备奠定了坚实基础。

目前，武汉普赛斯仪表有限公司的产品已经覆盖了10pA-6000A、300mV-10KV的电压电流范围，并在多个领域展现出绝对优势。特别是在聚焦SiC/IGBT/GaN第三代半导体的电源及测试需求方面，该公司在3500V、1000A以上测试电源的市场中，量程及测试性能均处于绝对优势地位。此外，在大功率激光器测试、PD、APD、SPAD、SIPM晶圆测试及老化电源市场，普赛斯仪表的产品也能够满足绝大多数应用场景的需求。

除了在产品方面的卓越表现，武汉普赛斯仪表有限公司还积极承担政府攻关项目，推动半导体测试技术的创新发展。该公司参与了湖北省科技厅、武汉市科技局、东湖开发区等政府部门的系列攻关项目，包括高精度源测量单元设备的研发与产业化、窄脉冲大电流的源测设备研发与产业化以及IGBT静态参数测试系统的研发与产业化等。

作为国内领先的半导体电性能测试仪表提供商，普赛斯仪表凭借长期的技术创新、精益的生产制造、严格的质量体系以及国际化视野，成功进入了国际半导体测试市场供应链体系。该公司的产品已被国内通信巨头和多家知名半导体企业认可和应用，并逐步被多家科研院所、半导体测试机设备厂家所采用，其中包括联合电子、汇川、中车、清华大学、中国科学院半导体所等。

此次，普赛斯仪表凭借功率半导体静态参数测试解决方案竞逐“IC风云榜”年度最佳解决方案奖，并成为候选企业。

随着半导体技术的持续进步和制程工艺的不断提升，对半导体器件的测试和验证工作变得越来越关键。半导体功率器件的芯片属于电力电子芯片范畴，其工作环境恶劣，常常面临大电流、高电压、高频率等多重挑战，对芯片的可靠性要求极高。这种极端的工作环境对测试工作提出了更高要求，增加了测试的难度和复杂性。随着行业发展，企业对于测试的需求亦有所转变，由原先的CP+FT模式扩展至CP+KGD test +DBC test+FT，甚至包括SLT测试等。此外，应用端的多样化导致终端厂商根据实际需求进行定制化封装，封装形式的多样性亦给测试工作带来不小的挑战。目前，三温测试中，低温测试在产线的需求尚不突出，但常温和高温测试已得到广泛应用。

值得注意的是，碳化硅材料因其独特性质，对当前的器件测试工具也提出了更高的要求。

普赛斯仪表为满足用户在不同测试场景下的需求，正式升级推出了三款功率器件静态参数测试系统：PMST功率器件静态参数测试系统、PMST-MP功率器件静态参数半自动化测试系统以及PMST-AP功率器件静态参数全自动化测试系统。这些产品广泛适用于从实验室到小批量、大批量产线的全方位应用，覆盖Si IGBT、SiC MOS至GaN HEMT的各类功率器件，且可应用于晶圆、芯片、器件、模块乃至IPM的全面测试。

PMST系列功率器件静态参数测试系统，是普赛斯仪表经过精心设计与打造的高精密电压/电流测试分析系统。该系统不仅具备IV、CV、跨导等多元化的测试功能，还拥有高精度、宽测量范围、模块化设计以及便捷的升级扩展等显著优势。它能够全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试需求，确保测量效率、一致性与可靠性的卓越表现。

此外，普赛斯仪表功率半导体静态参数测试解决方案还支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作，能够在整个表征过程中实现高效和可重复的器件表征。同时，该方案还可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。从pA级高精度源表到kA级大电流、10kV高电压源表，普赛斯的产品解决了国内企业在半导体芯片以及第三代半导体芯片测试中的仪表国产化问题，并在客户IGBT产线上推出了多条测试示范线，引领了国内IGBT测试的技术潮流。

【奖项申报入口】

2025半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼将于2024年12月举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业/机构报道正在进行，欢迎报名参与，共赴行业盛宴！

【年度最佳解决方案奖】

“年度最佳解决方案奖”是专为那些能够为行业提供高品质、创新性解决方案，且其产品已获得行业客户广泛认可和好评的企业而设立的。作为企业的“明星方案产品”，通过“IC风云榜-年度最佳解决方案奖”的评选加持，更将进一步提升了其在市场上的知名度，并在技术层面加强了市场对它们的青睐与认可。

【报名条件】

1、提供申报《方案》的市场情况及市场反馈，需要行业大客户采购或行业多客户采购清单，客户名称可以是代号形式；
2、企业的产品得到市场验证，至少有1款产品已经实现大规模应用。

【评选标准】

1、评委会由“半导体投资联盟”超100家会员单位及数百位半导体行业CEO共同组成；
2、每位评委限投5票，最终按企业得票数量评选出“年度最佳解决方案奖”。