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金融界2024年11月19日消息，国家知识产权局信息显示，浙之芯（杭州）半导体技术有限公司取得一项名为“一种氮化镓半导体器件的散热结构”的专利，授权公告号CN 222015397 U，申请日期为2024年4月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种氮化镓半导体器件的散热结构，包括壳体，壳体的顶面开设有上凹槽，壳体的底面开设有下凹槽，壳体的内部为中空结构且中空结构的顶部安装有上导温板。本实用新型半导体器件的内部安装上导温板和下导温板，通过上导温板和下导温板来将热量快速的导出，在半导体器件的壳体顶部和底部分别开设凹槽，顶部的凹槽内均匀排布有若干个散热片，散热片将上导温板中的热量导出并散热，底部凹槽内安装支撑管，支撑管在对壳体支撑的同时还能从末端将热量导出，壳体的侧壁上镶嵌安装了若干个通风管，外部空气可以通过通风管和上导温板，将上导温板和通风管内部热量快速导出，避免半导体器件受到高温影响而发生的损坏。
本文源自：金融界
作者：情报员
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