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金融界2024年11月19日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市中舜半导体科技有限公司取得一项名为“一种IGBT功率模块”的专利，授权公告号CN 222015393 U，申请日期为2024年3月。
专利摘要显示，本实用新型提供了一种IGBT功率模块，包括散热层、底板、DBC板、第一芯片、第二芯片、填充件以及电镀件，底板贴合设置于散热层的一侧，DBC板连接于底板的背离散热层的一侧，第一芯片和第二芯片均连接于DBC板的背离底板的一侧，第一芯片具有第一顶部电极，第二芯片具有第二顶部电极和第三顶部电极，电镀件电连接于第一顶部电极、第二顶部电极和第三顶部电极，填充件结合于DBC板的背离底板的一侧且包覆第一芯片、第二芯片、第一顶部电极、第二顶部电极和第三顶部电极。本方案无需采用单个模块多次连接多根键合引线的方式实现电连接，可以大批量的IGBT功率模块一次性电镀形成电镀件，效率更高，不会出现电镀件位置偏移的问题，封装一致性好，质量高。
本文源自：金融界
作者：情报员
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