报道称受美国制裁影响 华为AI芯片计划比NVIDIA已落后三代

据彭博社援引消息人士称，由于美国的制裁，中国科技巨头华为在制造能够支持人工智能工作负载并达到 NVIDIA 旧产品性能的先进芯片方面举步维艰。特朗普和拜登政府实施的美国制裁阻止了台湾台积电向中国出售其最先进的芯片，并限制了中国芯片制造商从荷兰 ASML 公司采购最新芯片制造机器的能力。

由于这些机器对于制造新芯片不可或缺，华为开发能够支持 AI 工作负载的新芯片的计划仅限于 7 纳米节点，并且在未来两年内将继续如此。

NVIDIA 的最新 AI 芯片 H100 系列依靠台积电的 N4 工艺技术系列进行制造。 N4 即 4 纳米工艺，是台积电 5 纳米工艺的先进变体，比台积电 7 纳米技术领先一代以上。然而，据彭博社报道，拜登政府对中国中芯国际实施制裁，阻止其采购 ASML 最新的极紫外 (EUV) 芯片制造机器，限制了中芯国际从 7 纳米工艺转向更先进的技术。

由于 ASML 是全球唯一一家提供这些机器的公司，中芯国际的选择仅限于使用依赖深紫外 (DUV) 光刻的旧扫描仪。因此，据匿名消息人士透露，这家中国公司不得不求助于多重曝光来尝试生产 7 纳米芯片。

在半导体制造中，多重曝光将掩模（具有电路设计的设备）分成几部分，一次在硅片上“打印”一个部分，并实现较小特征尺寸所需的清晰分辨率。因此，该工艺增加了半导体制造的复杂性，延长了生产时间并带来了质量问题。

用于制造芯片的下一代极紫外光刻 (EUV) 机器将使用更大的镜头光圈，将更多光线聚焦在用于印刷半导体的晶圆上。这带来了一系列独特的问题，因为更高的放大倍数会导致印刷“一半”的图案。图片：ASML

根据今天的报道，中国领先的芯片制造商中芯国际也受到这些问题的影响。问题的出现是因为美国的制裁使其无法从 ASML 采购先进的 EUV 机器，而随之而来的转向 DUV 机器使得制造最新芯片变得困难。中芯国际不仅依靠多重曝光来克服限制，而且政府使用本地设备的压力也使其难以跟上西方的旧芯片制造技术。

因此，由于与台积电最新的芯片工艺系列隔绝，华为被迫依赖中芯国际的产品并围绕较旧的 7 纳米工艺设计芯片。然而，由于台积电计划明年生产 2 纳米芯片，而中芯国际在多重曝光和国产芯片制造设备方面举步维艰，华为自主研发 AI 处理器的计划也举步维艰。

这些困难不仅阻碍了华为在消费电子市场的竞争力（华为必须与苹果等竞争对手对抗），也阻碍了中国在 AI 时代发展半导体自给自足并与美国保持同步的努力。苹果的 iPhone 智能手机经常使用台积电的最新产品，2024 年的 iPhone 则依赖通过 3 纳米工艺技术系列制造的芯片。