北京
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金融界2024年11月22日消息，国家知识产权局信息显示，青禾晶元（天津）半导体材料有限公司申请一项名为“一种防止异质复合材料制备过程中碎片的方法”的专利，公开号 CN 118983217 A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明提供一种防止异质复合材料制备过程中碎片的方法，所述方法通过在供体衬底内进行至少两次离子注入，形成应力缓冲层；之后与支撑衬底键合，得到键合体；进行升温剥离时，该应力缓冲层能够抵消键合体的内部应力，解决了供体衬底和/或支撑衬底破碎的问题。本发明得到的异质复合材料满足后续工艺生产需求，适合大批量生产。
本文源自：金融界
作者：情报员
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