北京
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金融界 2024 年 11 月 22 日消息，国家知识产权局信息显示，北一半导体科技（广东）有限公司申请一项名为“一种 IGBT 器件及其制作方法”的专利，公开号 CN 118983335 A，申请日期为 2024 年 8 月。
专利摘要显示，本发明提供了一种 IGBT 器件及其制作方法，涉及半导体芯片制造技术领域；该器件包括沟槽，沟槽开设在 IGBT 器件内，沟槽内壁设置有器件栅极氧化层，器件栅极氧化层上设置有栅极，栅极包括由外到内依次设置的底层多晶硅栅极、金属栅极与顶层多晶硅栅极，底层多晶硅栅极设置在器件栅极氧化层远离沟槽内壁的一侧。在器件栅极氧化层远离沟槽内壁的一侧依次设置底层多晶硅栅极、金属栅极与顶层多晶硅栅极，三层栅极结构，可以大幅降低栅极电阻，从原来的 10‑15R/口，降低至 1R/口以下，接近金属方阻，栅极电压通过沟槽内的中间的金属栅极传导至每一个元胞，大幅提升了器件对栅极电压的响应，进而提升了器件的开关速度，提升了 di/dt 能力。
本文源自：金融界
作者：情报员
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