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金融界2024年11月22日消息，国家知识产权局信息显示，江苏芯德半导体科技股份有限公司申请一项名为“一种混合存储芯片的双面封装结构及其制备方法”的专利，公开号 CN 118983292 A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明是通过如下的技术方案来实现：一种混合存储芯片的双面封装结构，包括基板，所述基板正反两面均焊接有芯片一，芯片一的表面焊接有芯片二，芯片二表面设置有若干个金属凸块，芯片一与基板之间通过焊线电气连接，基板正反两面均设置有覆盖芯片一、芯片二以及焊线的塑封体，塑封体上设置有用于将基板线路引出至塑封体表面的导电柱，塑封体表面设置有用于互联芯片二表面金属凸块与导电柱的RDL层，且其中一个RDL层表面设置有锡球。本发明通过在基板的正反两面均堆叠多层芯片并在塑封体表面制作RDL层实现了芯片二上金属凸块与RDL层的互联，芯片一与基板互联，通过导电柱将基板与RDL层互联，实现正反面多颗芯片之间的整体互联。
本文源自：金融界
作者：情报员
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