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金融界 2024 年 11 月 27 日消息，国家知识产权局信息显示，上海精测半导体技术有限公司申请一项名为“硅锗薄膜的锗组分值和载流子浓度值的测量方法及程序产品”的专利，公开号 CN 119023589 A，申请日期为 2024 年 8 月。
专利摘要显示，本发明提供了一种硅锗薄膜的锗组分值和载流子浓度值的测量方法及程序产品，方法包括：获取硅锗薄膜的实验光谱；获取硅锗薄膜的锗组分与介电函数的第一函数关系；获取硅锗薄膜的载流子浓度与介电函数的第二函数关系；获取理论光谱，基于理论光谱对实验光谱进行光谱拟合在拟合过程中设置第一波段中各第一波长的权重均大于第二波段中各第二波长的权重，计算评价函数，获得锗组分值；重新获取理论光谱，基于重新获取的理论光谱对实验光谱进行光谱拟合，在拟合过程中设置第二波段中各第二波长的权重均大于第一波段中各第一波长的权重，计算评价函数，获得载流子浓度值。本发明能够快速测量硅锗薄膜的锗组分值和载流子浓度值，降低对硅锗薄膜的损伤。
本文源自：金融界
作者：情报员
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