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金融界2024年11月28日消息，国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“一种碳化硅器件制备方法，沟槽结构及芯片”的专利，公开号 CN 119028825 A，申请日期为2023年5月。
专利摘要显示，本发明实施例公开了一种碳化硅器件制备方法，沟槽结构及芯片；采用单边沟槽的碳化硅结构，通过相互作用的第二阱结构（102）（即浅阱）和第五槽底及侧壁单边阱结构（105）（即深阱）保护沟槽结构（100）底部的电场分布；其中，第二阱结构（102）位于沟槽结构（100）的相对侧，用于形成目标器件的导通通路；而第二阱结构（102）和第五槽底及侧壁单边阱结构（105）之间相互不连通；本发明的方法和产品仅须采用一层沟槽光刻板，并可通过不同方向/次序的注入过程分别形成浅阱和深阱；此外，接触孔注入后，可与源极/浅阱形成MOS管接触，与深阱形成反向耐压耗尽接触，可避免相关技术中双沟槽深阱碳化硅MOS管两次沟槽光刻刻蚀的繁琐过程，提高生产效率。
本文源自：金融界
作者：情报员
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