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金融界2024年11月28日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“反熔丝结构、反熔丝阵列及其操作方法、存储器”的专利，公开号 CN 119028943 A，申请日期为2023年5月。
专利摘要显示，本公开实施例提供一种反熔丝结构、反熔丝阵列及其操作方法、存储器，其中，反熔丝结构包括：形成于有源区表面、且依次间隔排布的第一栅极结构、第二栅极结构、第三栅极结构、第四栅极结构；第一栅极结构包括第一栅介质层和第栅导电层第二栅极结构包括第二栅介质层和第二栅导电层；第三栅极结构包括第三栅介质层和第三栅导电层；第四栅极结构包括第四栅介质层和第四栅导电层；其中，第一栅介质层在第三方向上的尺寸小于第二栅介质层在第三方向上的尺寸，第一栅导电层与第二栅导电层在有源区的外侧相互电连接；第四栅介质层在第三方向上的尺寸小于第三栅介质层在第三方向上的尺寸，第四栅导电层与第三栅导电层在有源区的外侧相互电连接。
本文源自：金融界
作者：情报员
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