北京
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金融界2024年11月28日消息，国家知识产权局信息显示，中芯北方集成电路制造（北京）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号 CN 119028939 A，申请日期为2023年5月。
专利摘要显示，本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底表面形成有层间介质层，所述层间介质层中形成有不贯穿所述层间介质层的第一开口，所述第一开口底部的层间介质层中形成有不贯穿所述层间介质层的第二开口位于所述第开口底部且位于所述第二开口以外的层间介质层包括位于所述第一开口底部中心的第一部分以及包围所述第一部分的第二部分，所述第一部分的层间介质层被刻蚀形成暴露所述基底的第三开口；金属焊垫，位于所述第一开口和第二开口中；通孔结构，位于所述第三开口中。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，可以减小金属焊垫对层间介质层的应力，从而提高器件可靠性和器件性能。
本文源自：金融界
作者：情报员
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