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金融界2024年11月28日消息，国家知识产权局信息显示，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请一项名为“一种铜互连介质层结构制备方法及铜互连介质层结构”的专利，公开号 CN 119028904 A，申请日期为 2023 年 5 月。
专利摘要显示，本申请公开了一种铜互连介质层结构制备方法及铜互连介质层结构，属于集成电路制造技术领域，该方法包括在衬底表面沉积保护层，以保护预先沉积的铜互连介质层结构中的铜；在所述保护层表面沉积非晶氮化硼膜层作为超低介电常数介质层，以制成所述铜互连介质层结构。本申请在保证超低介电常数介质层具有较低介电常数的同时，可以提高金属层中超低介电常数介质层的硬度，从而提升超低介电常数介质层的力学性能；可以省略金属层制备过程中的光处理流程，从而提升器件的产能；可以省略金属层制备过程中沉积 TEOS 层的流程，从而简化产品制程中的工艺步骤，降低器件的生产成本。
本文源自：金融界
作者：情报员
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