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金融界 2024 年 11 月 28 日消息，国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司申请一项名为“发光二极管芯片及其制备方法”的专利，公开号 CN 119029110 A，申请日期为 2024 年 7 月。
专利摘要显示，本公开实施例提供了一种发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。该发光二极管芯片包括发光结构、电流阻挡层、透明导电层、第一电极和第二电极；电流阻挡层包括第一阻挡部，第一阻挡部位于第二半导体层的远离发光层的表面；透明导电层位于第一阻挡部的远离第二半导体层的表面且包覆第一阻挡部；第一电极位于透明导电层的远离第二半导体层的表面，第一电极穿过透明导电层与第二半导体层连接，且第一电极与第一阻挡部之间被透明导电层隔开；第二电极位于台面上且与第一半导体层连接。
本文源自：金融界
作者：情报员
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