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金融界2024年11月28日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法、存储系统”的专利，公开号 CN 119031710 A，申请日期为 2023 年 5 月。
专利摘要显示，本申请实施方式提供半导体器件及其制备方法、存储系统，半导体器件包括基底、叠层结构和多个接触结构。基底包括第一阻隔层和第二阻隔层中的至少之一。叠层结构设置于基底上，并包括在平行于基底的平面中相邻分布的第一区和第二区，其中第一区包括交替堆叠的多个第一介质层和多个栅极层。多个接触结构中的每一个在第一区沿堆叠方向在叠层结构中延伸并与对应的栅极层电连接其中多个栅极层包括距离基底最近的第一栅极层，多个接触结构包括与第一栅极层电连接的第一接触结构；以及第一阻隔层与第一接触结构在堆叠方向相对设置，第二阻隔层位于第二区中并围绕第一区设置。
本文源自：金融界
作者：情报员
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