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金融界2024年11月29日消息，国家知识产权局信息显示，宁波众兴新材料科技有限公司申请一项名为“具有双层孔壁结构的三维有序多孔SiC/C的制备方法”的专利，公开号CN 119039039 A，申请日期为2023年5月。
专利摘要显示，具有双层孔壁结构的三维有序多孔SiC/C的制备方法，包括以下步骤：将直径均一的SiO2纳米球在溶剂中沉积成为模板；将聚甲基硅烷分散液倒入所述模板浸渍；在惰性气氛中热交联；陶瓷化热处理；在氢氟酸中浸渍；在活性气氛下热处理，即得到具有双层孔壁结构的三维有序多孔SiC/C。与现有技术相比，本发明首次将先驱体转化技术、模板技术以及微孔碳层的原位生成技术相结合制备三维有序多孔材料；首次制备出具有双层孔壁结构的三维有序多孔SiC/C陶瓷；该材料具有微孔和三维有序大孔结构，具有孔壁强度高，硬度大、耐高温性好、比表面积大等优点，并且制备方法工艺简单、实施方便、适于批量制备。
本文源自：金融界
作者：情报员
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