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金融界 2024 年 12 月 2 日消息，国家知识产权局信息显示，晶芯成（北京）科技有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制备方法及半导体结构”的专利，公开号 CN 119050047 A，申请日期为 2024 年 10 月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，所述制备方法包括：提供衬底，所述衬底内具有浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构与所述衬底的有源区的交界处形成有凹陷；至少在所述凹陷内靠近所述有源区的侧壁上形成第一介质层；在所述衬底上形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述衬底的上表面；形成第二介质层，所述第二介质层覆盖所述浅沟槽隔离结构、所述第一介质层和所述牺牲层；对所述第二介质层进行研磨，停止在所述牺牲层；以及去除所述牺牲层。与现有技术相比，本申请意想不到的技术效果是：可在没有增加光罩的情况下，避免在浅沟槽隔离结构与有源区的交界处形成凹陷，使得有源区表面平整，以达到降低 INWE 的效果。
本文源自：金融界
作者：情报员
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