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金融界2024年12月2日消息，国家知识产权局信息显示，晶芯成（北京）科技有限公司申请一项名为“半导体结构”的专利，公开号CN 119050131 A ，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本申请公开 了一种半导体结构，包括：衬底；U型通道，形成在所述衬底上，具有两个平行通道和位于平行通道一端、连接所述两个平行通道的连接通道；源极和漏极，分别位于所述U型通道的开口侧的两端部；以及栅极，位于所述U型通道上方并横跨所述U型通道的两个平行通道。通过在衬底上形成U型通道，栅极横跨U 型通道的两个平行通道可以实现同时二次控制通道，这种二次控制增加了栅极控制能力，同时也能有效减小漏电流。
本文源自：金融界
作者：情报员
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