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金融界2024年12月2日消息，国家知识产权局信息显示，杭州积海半导体有限公司申请一项名为“一种半导体芯片及其制作方法”的专利，公开号CN 119050075 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体芯片及其制作方法，半导体芯片包括：衬底，衬底顶部包括至少一个阱区，阱区顶部包括间隔设置的金属硅化物区；埋氧层，设置在衬底的表面上；有源硅层，设置在埋氧层的表面上；多晶硅柱结构，多晶硅柱结构由埋氧层的表面延伸至金属硅化物区的表面，在一个阱区的顶部，间隔设置的金属硅化物区表面上的多晶硅柱结构的极性不同；以及金属插塞，金属插塞由有源硅层的表面延伸至多晶硅柱结构的顶部；其中，在阱区上，极性不同的多晶硅柱结构的顶端向外连接有电源，以形成一闭合导电回路。本发明可实现对芯片局部高温区域进行散热，还可减少对芯片进行散热处理所需的空间体积。
本文源自：金融界
作者：情报员
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