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金融界2024年12月3日消息，国家知识产权局信息显示，北京晶亦精微科技股份有限公司申请一项名为“用于混合键合的聚酰亚胺材料CMP方法及半导体晶圆”的专利，公开号CN 119057651 A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本申请适用于半导体材料加工技术领域，提供了一种用于混合键合的聚酰亚胺材料CMP方法及半导体晶圆，该方法包括：在第一抛光盘上对晶圆的PI进行去除，并控制PI层的剩余厚度在内；其中，在第一抛光盘上对PI层进行去除的速率为在第二抛光盘上对剩余PI层进行去除，直至露出PI层的下层材料；其中，在第二抛光盘上对剩余P I 层进行去除的速率为两个抛光盘选用硬抛光垫和Al2O3磨料的抛光液，Al2O3磨料的颗粒直径为100～150nm。本申请能够获得更佳的键合界面态，键合强度更大，器件更稳定可靠，使得晶圆的表面粗糙度小于0.5nm。
本文源自：金融界
作者：情报员
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