北京
分享至
金融界2024年12月4日消息，国家知识产权局信息显示，深圳深爱半导体股份有限公司取得一项名为“功率器件封装结构”的专利，授权公告号 CN 222088591 U，申请日期为 2024 年 2 月。
专利摘要显示，本申请涉及功率器件封装结构，一种功率器件封装结构包括：框架，用于与外部电源电连接，多个间隔排布的功率器件，每一功率器件包括栅极、源极和漏极，每一功率器件的漏极均与框架电连接，多个间隔排布的第一管脚，每一功率器件的栅极均与一个第一管脚一一对应地电连接，多个间隔排布的第二管脚，每个功率器件的源极均与一个第二管脚一一对应地电连接。纵上所述，相较传统的功率器件并联接入电路方式，上述功率器件封装结构接入电路后，电路焊点数目较小，电路故障率低。
本文源自：金融界
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
