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金融界2024年12月5日消息，国家知识产权局信息显示，湖北长江万润半导体技术有限公司申请一项名为“一种利用闪存弱页及其分布类型快速测试闪存的方法”的专利，公开号 CN 119068968 A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种基于查找闪存弱页及分布类型的闪存快速测试方法，包括以下步骤：1）读取闪存指定Block的配置信息；2）在指定的Block内在页首、页中及页尾三个位置对应的区域进行读取，在没有擦写条件下，记录页首、页中、页尾每个区域对应的Page页的错误比特翻转数目；3）根据页首、页中、页尾每个区域对应的Page页的错误比特翻转数目，确定指定的Block内闪存弱页的分布类型以及对应区域中的闪存弱页位置；4）根据指定的Block内闪存弱页的分布类型以及对应区域中的闪存弱页位置，实时监测闪存弱页快速评估整个闪存芯片的可靠性。本发明通过闪存弱页及分布特性来表征闪存芯片品质及可靠性，仅仅只需要监控闪存弱页状况即可高效评估整个闪存的品质。
本文源自：金融界
作者：情报员
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