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金融界2024年12月5日消息，国家知识产权局信息显示，矽磐微电子（重庆）有限公司申请一项名为“半导体结构的制造方法及半导体结构”的专利，公开号CN 119069365 A，申请日期为2023年5月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构。制造方法包括：形成包括第一芯片与塑封层的待布线结构；第一芯片的芯片正面设有多个焊垫；塑封层至少包封第一芯片的芯片侧面；形成再布线层，再布线层位于芯片正面且与焊垫电连接；再布线层设有至少一个朝向塑封层的台阶结构；在塑封层上形成贯穿塑封层的至少一个通孔；每一通孔与一个台阶结构相对应，通孔在芯片正面所在平面上的正投影全部落在再布线层在所述平面上的正投影内，且与对应的台阶结构未与塑封层接触的部分在所述平面上的正投影至少部分交叠；采用流动态的导电材料填充通孔，导电材料固化后形成导电部，并在芯片背面设置电气元件，将至少一个电气元件与导电部焊接在一起。
本文源自：金融界
作者：情报员
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