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金融界2024年12月5日消息，国家知识产权局信息显示，泉州三安半导体科技有限公司申请一项名为“一种半导体发光元件及发光装置”的专利，公开号 CN 119069588 A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体发光元件及发光装置，该发光元件的外延结构至少包括由下至上叠置的第一半导体层结构、有源层以及第二半导体层结构，本申请的半导体发光元件中，有源层包括 AlyGa1‑yN势垒层和AlxGa1‑xN势阱层，其中，0＜x＜1，0＜y＜1，第二半导体层结构包括AlaGa1‑aN材料层，其中，0＜a＜1。如上所述，本申请的P型层选择AlaGa1‑aN材料层，由此减少P型层的吸光现象。另外，P型层可以包含不含Al的氮化物材料层形成的欧姆接触层，同时将欧姆接触层厚度控制在10nm以下，以减少p型氮化镓材料，由此也能够减少对光的吸收，提高出光效率。
本文源自：金融界
作者：情报员
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