金融界2024年12月5日消息,国家知识产权局信息显示,泉州三安半导体科技有限公司申请一项名为“一种半导体发光元件及发光装置”的专利,公开号 CN 119069588 A,申请日期为2024年8月。
专利摘要显示,本发明提供一种半导体发光元件及发光装置,该发光元件的外延结构至少包括由下至上叠置的第一半导体层结构、有源层以及第二半导体层结构,本申请的半导体发光元件中,有源层包括 AlyGa1‑yN势垒层和AlxGa1‑xN势阱层,其中,0<x<1,0<y<1,第二半导体层结构包括AlaGa1‑aN材料层,其中,0<a<1。如上所述,本申请的P型层选择AlaGa1‑aN材料层,由此减少P型层的吸光现象。另外,P型层可以包含不含Al的氮化物材料层形成的欧姆接触层,同时将欧姆接触层厚度控制在10nm以下,以减少p型氮化镓材料,由此也能够减少对光的吸收,提高出光效率。
本文源自:金融界
作者:情报员
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