12 月 5 日消息,据外媒消息透露,英特尔的18A工艺进展缓慢,良品率仅有10%,无法大量生产。
根据英特尔代工在早些时候公布的制程路线图来看,英特尔应在今年将完成18A开发工作,目前来看,英特尔在 8 月 6 日展示过由英特尔 18A 工艺制造的芯片被成功点亮,并表示将在 2025 年大规模生产,但良品率未知。
英特尔 18A 的芯片设计中利用了 RibbonFET 全环绕栅极晶体管架构和 PowerVia 背面供电技术,相比 FinFET 结构,它能够提高密度和性能,同时还能改善标准单元的利用率。从路线图来看,英特尔在此期间还跳过了英特尔 20A 工艺迭代,全面押注了英特尔 18A 工艺,可能是想尽快赶超竞争对手,特别是台积电。今年博通公司还使用了英特尔的 18A 工艺进行流片,但测试失败了,并表示还不能大规模生产,这也反映了目前业内对英特尔 18A 的信心仍不足。
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