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金融界 2024 年 12 月 9 日消息，国家知识产权局信息显示，无锡靖芯科技有限公司申请一项名为“一种基于 LDO 芯片的电流折返结构的折返点调整方法”的专利，公开号 CN 119088152 A，申请日期为 2024 年 8 月。
专利摘要显示，本发明适用于集成电路技术领域，提供了一种基于 LDO 芯片的电流折返结构的折返点调整方法，包括以下步骤：步骤 1、设计基础电路结构，包括限流控制电阻 R 3 ；步骤 2 、引入 PMOS 管，具体步骤为：根据电路需求选择一个合适的 PMOS 管，PMOS 管的阈值电压和导通特性与电路兼容；在电阻 R3 的两端并联一个 PMOS 管。本发明通过在限流控制电阻两端以二极管形式并联一个 PMOS 管，利用其在采样电流大时导通，采样电流小时关闭的状态，分担部分电流，从而可以通过合理设置 PMOS 管的宽长比来改变电流折返点的位置，进而控制预设限流电流和短路电流的比例关系，在维持较小的短路电流的同时，能够设置更大范围的限流电流。
本文源自：金融界
作者：情报员
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