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金融界2024年12月11日消息，国家知识产权局信息显示，江苏超芯星半导体有限公司申请一项名为“一种多孔碳化钽陶瓷及其制备方法与应用”的专利，公开号 CN 119100829 A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明属于材料制备技术领域。本发明提供了一种多孔碳化钽陶瓷及其制备方法与应用，所述的制备方法包括将钽粉和/或碳化钽粉与钽盐及有机配体源在液相体系混合后通过快速降温形成固体，将所得固体进行抽真空烧结后再进行碳化，得到多孔碳化钽陶瓷。所述制备方法中有机配体源提供配体，使配体与钽形成金属有机框架结构，调节孔隙和分布，并进一步在高温下的分解或挥发而实现造孔，最终制备得到的多孔碳化硅陶瓷中具有无序的微米级孔，应用于物理气相沉积法制备单晶碳化硅时，相比于传统的石墨材料，既能允许碳化硅产生的气态物质通过，又能耐高温，且强度高、不参与反应，不产生杂质进入晶体或形成碳包裹等缺陷，有效实现过滤作用。
本文源自：金融界
作者：情报员
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