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金融界2024年12月12日消息，国家知识产权局信息显示，江苏索力德普半导体科技有限公司申请一项名为“单管IGBT并联封装方法、结构及应用”的专利，公开号CN 119108288 A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明涉及单管IGBT并联封装方法、结构及应用，包括以下步骤：在散热底板上放置若干组单管IGBT组件，每组单管IGBT组件包括从下至上依次叠放于散热底板上端的DBC基板、引线框架和若干芯片，散热底板与DBC基板之间、DBC基板与引线框架之间以及引线框架与芯片之间的接触部位放置焊片；进行过真空回流焊，将散热底板、DBC基板、引线框架和芯片焊接在一起；芯片之间键合连接；散热底板上安装外壳，使外壳罩住DBC基板、引线框架和若干芯片；向外壳内注入塑封材料；固化塑封材料，得到单管IGBT并联封装结构。本发明的单管IGBT并联封装方法，封装过程不会受焊接高温影响，成品率高，且单管IGBT集成度高，制造步骤少，设备投入少，工业化生产效率高。
本文源自：金融界
作者：情报员
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