北京
分享至
金融界 2024 年 12 月 12 日消息，国家知识产权局信息显示，无锡晶湛半导体有限公司申请一项名为“一种 LED 结构及其制备方法”的专利，公开号 CN 119108476 A，申请日期为 2023 年 6 月。
专利摘要显示，本公开提供了一种 LED 结构及其制备方法，LED 结构包括，LED 发光单元，包括层叠设置的第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层，以及围绕 LED 发光单元的离子注入区，离子注入区的材料包括 LED 发光单元的材料、钝化离子以及应力调控离子；通过注入钝化离子对 LED 发光单元进行隔离，避免了刻蚀工艺造成的侧壁刻蚀损伤，降低 LED 发光单元效率，通过注入应力调控离子增大离子注入区材料的晶格常数，使得离子注入区可以向 LED 发光单元的侧壁施加压应力，通过施加压应力来调节 LED 结构的波长，进而改善 LED 结构的波长均匀性。
本文源自：金融界
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
