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金融界2024年12月17日消息，国家知识产权局信息显示，山东天岳先进科技股份有限公司申请一项名为“一种高均匀性的碳化硅衬底及其制备方法和半导体器件”的专利，公开号CN 119121404 A，申请日期为2024年5月。
专利摘要显示，本发明提供了一种高均匀性的碳化硅衬底及其制备方法和半导体器件，涉及碳化硅wafer技术领域。该碳化硅衬底由晶体至少经过切割步骤后得到，晶体的制备方法包括晶体稳定生长阶段，晶体稳定生长阶段的生长工艺条件包括以下步骤：靠近晶体生长边缘处存在限定边，限定边与晶体生长边缘处的距离不大于6mm，在限定边至晶体中心设置连续且正的温度梯度；在限定边与晶体生长边缘范围内的温度梯度≥2℃/cm，限定边与晶体生长边缘范围内的温度梯度值大于限定边至晶体中心的温度梯度值；设置籽晶偏角；设置晶体生长石墨环夹角等，碳化硅衬底由晶体处理后得到。本发明碳化硅衬底具有高质量均匀性，显著提高器件的可靠性。
本文源自：金融界
作者：情报员
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