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金融界2024年12月17日消息，国家知识产权局信息显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“低氧高品质单晶硅的制备方法及单晶晶棒”的专利，公开号 CN 119121378 A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，本发明提供一种低氧高品质单晶硅的制备方法及单晶晶棒，属于单晶硅制备技术领域，包括以下步骤：S1、在拉晶过程中，调节加热器上升至预定距离，使得加热器的发热区位于硅熔液的液面上方，以降低单晶硅的氧含量；S2、在加热器上升的过程中，施加水平磁场，调节磁场中心位置与液面位置持平，并控制磁场强度保持不变，以抑制液面对流，使熔体温度分布均匀，提高单晶硅的品质，从而在降低单晶硅氧含量的同时保证单晶硅的品质。
本文源自：金融界
作者：情报员
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