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金融界2024年12月19日消息，国家知识产权局信息显示，厦门市三安集成电路有限公司申请一项名为“一种GaN基晶体管及其制作方法和应用”的专利，公开号CN 119133252 A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种GaN基晶体管及其制作方法和应用，属于半导体的技术领域。GaN基晶体管按序包括衬底、N‑GaN层、U‑GaN层和InGaN层，以及设于InGaN层上的源极、漏极和栅极；其中，InGaN层的In组分含量为1%~2%；InGaN层具有P型源区和P型漏区；源极和漏极分别设于P型源区和P型漏区上，栅极设于源极和漏极之间并与InGaN层通过栅介质层间隔，以构建出高性能的GaN pMOS器件结构，并与PN结二极管结构结合，实现其在GaN CMOS逻辑电路中的应用。本发明的制作方法减小了离子注入、激活对GaN器件表面的损伤，提高器件的性能。
本文源自：金融界
作者：情报员
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