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金融界2024年12月19日消息，国家知识产权局信息显示，清纯半导体（宁波）有限公司申请一项名为“功率器件及其形成方法”的专利，公开号CN 119133241 A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种功率器件。本发明的功率器件包括：栅极区，位于阱区之中；栅氧化层，全包围栅极区；沟槽区，包围栅氧化层的至少部分底部和部分侧部；沟槽区的顶部和侧部被阱区包围，且阱区自沟槽区的侧部底角边向沟槽区底面中心延伸，对沟槽区的底角形成包围结构；阱区，包围沟槽区侧部和沟槽区高于外延层的底部，与沟槽区共同对栅氧化层的底角形成包围结构。栅氧化层将栅极区与沟槽区和阱区间隔。本发明通过阱区和沟槽区对栅氧化层的底角形成包围结构，可以屏蔽高电场对栅氧化层的影响，提高器件的可靠性。并且可以通过调整包围沟槽区的阱区的掺杂浓度，降低包围区域的电流路径的导通电阻，获得更低的器件导通电阻。
本文源自：金融界
作者：情报员
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