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金融界2024年12月19日消息，国家知识产权局信息显示，宁波奥拉半导体股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件”的专利，公开号CN 119133156 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件，包括MIM电容以及电容增强结构，电容增强结构位于MIM电容上方，MIM电容包括下金属层、上金属层以及设置于下金属层与上金属层之间的第一介质层，电容增强结构包括相互平行且间隔设置的信号线和第一地线，信号线与第一地线之间设置有第二介质层，信号线位于第一地线靠近MIM电容的一侧，信号线与上金属层连接，信号线的长度为58‑65μm，信号线的宽度为0.25‑0.37μm。通过设置由相互平行的信号线以及第一地线且在信号线与第一地线之间设置第二介质层构成电容增强结构，并将信号线设置为与上金属层连接，以使得信号线和第一地线之间产生寄生耦合MIM电容，从而提高MIM电容的电容值。
本文源自：金融界
作者：情报员
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