北京
金融界 2024 年 12 月 19 日消息，国家知识产权局信息显示，厦门银科启瑞半导体科技有限公司申请一项名为“一种红光 Vcsel 结构及其制造方法”的专利，公开号 CN 119134041 A，申请日期为 2024 年 11 月。
专利摘要显示，本发明公开一种红光 Vcsel 结构及其制造方法，红光 Vcsel 结构包括衬底、缓冲层、N 型 DBR 反射层、谐振腔层和 P 型 DBR 反射层；谐振腔层包括由下至上依次层叠的 Al0.5In0.5P 下限制层、下波导层、多量子阱层、上波导层、电子阻挡层、Al0.5In0.5P 上限制层；谐振腔层满足：nL=mλ/2，其中，n 为谐振腔层的平均折射率，L 为谐振腔层的长度，λ为谐振波长，m 为 3；使得 Al0.5In0.5P 下限制层的厚度较常规 m 为 1 的短腔长结构厚 3 倍以上，可有效限制载流子的溢出；电子阻挡层由多组 Al0.5In0.5P 层和张应力的（Al1‑x2Gax2）y2In1‑y2P 层交替生长的超晶格结构组成，其中，0.05≤x2≤0.1，y2＞0.52，形成明显的带宽差，有效阻挡载流子的溢出，且 y2 由下层至上层逐渐增大，在达到电子阻挡作用的同时保证外延层的高质量生长。
本文源自：金融界
作者：情报员
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