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金融界2024年12月19日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“种半导体结构及其制作方法”的专利，公开号 CN 119136534 A，申请日期为2023年6月。
专利摘要显示，本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制作方法，其中，半导体结构包括：第一晶体管，第一晶体管包括：第一栅极以及位于第一栅极沿第一方向相对两侧的第一源极及第一漏极，第一晶体管还包括：第一沟道层，第一沟道层环绕第一栅极，且与第一源极和第一漏极接触电连接；第二晶体管，第二晶体管位于第一晶体管的上方，第二晶体管包括：第二栅极以及位于第二栅极沿第二方向相对两侧的第二源极及第二漏极，第二漏极与第一栅极接触连接，第二晶体管还包括：第二沟道层，第二沟道层环绕第二栅极，且与第二源极和第二漏极接触电连接。可以增加第二晶体管的沟道长度。
本文源自：金融界
作者：情报员
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