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金融界2024年12月20日消息，国家知识产权局信息显示，福建臻璟新材料科技有限公司申请一项名为“一种氮化铝单晶基板的制备方法”的专利，公开号 CN 119145046 A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种氮化铝单晶基板的制备方法，涉及氮化铝单晶基板相关领域，本发明通过采用双向生长法制备氮化铝单晶基板的优点在于，它能显著提高晶体生长速度，可达1.0‑1.5 mm/h，同时通过上下温度梯度控制，实现晶体在两个方向上的均匀生长，从而减少应力集中和缺陷生成，该方法不仅提高了基板的生产效率，还能优化晶体质量，确保其具备优良的机械、热学和光学性能，适用于高性能电子器件的制造。
本文源自：金融界
作者：情报员
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