北京
金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“具有选择结构的半导体元件及其制备方法”的专利，公开号CN 119153438 A，申请日期为2023年9月。
专利摘要显示，本公开提供一种半导体元件，包括第一上选择结构，沿第一方向与主信号垫于同一垂直位面处，与主信号垫分离；第四上选择结构，与主信号垫于同一垂直位面处，并沿第一方向与第一上选择结构分离，主信号垫插置在其间；第一接地层，与主信号垫于同一垂直位面处，并与主信号垫及第一上选择结构分离；第二接地层，与主信号垫于同一垂直位面，并与第四上选择结构及主信号垫分离；第一下选择结构，于低于该主信号垫的垂直位面处，并与第一上选择结构及第一接地层部分重叠；第二下选择结构，与第一下选择结构于同一垂直位面处，并与第四上选择结构及第二接地层部分重叠；第一上通孔，于第一接地层与第一下选择结构之间；第三上通孔，于第二接地层与第二下选择结构之间；第二上通孔，于第一上选择结构与第一下选择结构之间；第四上通孔，于第四上选择结构与第二下选择结构之间；及第一绝缘层，于第二上通孔与第一下选择结构之间；第二绝缘层，于第四上通孔与第二下选择结构之间。
本文源自：金融界
作者：情报员
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