北京
分享至
金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，福建省晋华集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构及其制作方法”的专利，公开号CN 119153528 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本公开涉及一种半导体结构及其制作方法。半导体结构包括衬底；源极、栅极和漏极，堆叠设于衬底上；第一隔离层，设于栅极和漏极之间；第二隔离层，设于第一隔离层和漏极之间；沟道层，贯穿栅极、第一隔离层以及第二隔离层，沟道层设置在源极上；栅介质层，设置在栅极和沟道层之间；绝缘层，设于沟道层的内侧；接触垫，设于绝缘层上；第二隔离层的氮组分的含量大于第一隔离层的氮组分的含量。第二隔离层在刻蚀或研磨制程中保护第一隔离层，避免第一隔离层被损伤，保护半导体结构的完整，有利于提高半导体结构的产品良率。
本文源自：金融界
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
