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金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，荣芯半导体（宁波）有限公司申请一项名为“一种环栅双极性晶体管及其制造方法”的专利，公开号 CN 119153501 A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本申请涉及一种环栅双极性晶体管及其制造方法，方法包括：衬底，衬底包括沿第一方向相邻设置的第一阱区和第二阱区第二阱区具有第一导电类型，第一阱区具有第二导电类型；第一环绕栅晶体管，第一环绕栅晶体管形成于第一阱区上；第二环绕栅晶体管形成于第一阱区上，第二环绕栅晶体管相对第一环绕栅晶体管沿第一方向更靠近第二阱区；第三环绕栅晶体管，第三环绕栅晶体管形成于第二阱区上；第一环绕栅晶体管的源极或者漏极与第一阱区之间形成第一PN结，第一阱区和第二阱区之间形成第二PN结，以形成第一双极结晶体管。本申请方案中的环栅双极性晶体管，通过阱区和晶体管的源漏极形成了双极结晶体管，能够减少器件面积的浪费，提升集成电路的性能。
本文源自：金融界
作者：情报员
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