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金融界2024年12月23日消息，国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“存储器结构及其形成方法”的专利，公开号CN 119156012 A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，一种存储器结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成浮栅前驱层；提供配体材料与所述浮栅前驱层反应以形成电荷俘获结构，所述电荷俘获结构的材料为金属有机骨架的衍生物。金属有机骨架的衍生物具有复杂微孔的周期性拓扑结构，使得电荷俘获结构具有多孔性且缺陷态密度大，俘获载流子能力强，在低的操作电压下就可以实现电荷存储，提高了存储器结构的可靠性。
本文源自：金融界
作者：情报员
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