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金融界2024年12月25日消息，国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“半导体器件的形成方法”的专利，公开号CN 119170506 A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底的表面形成栅极层；在所述栅极层的侧壁表面形成侧墙；在所述衬底的表面形成掩膜层，所述掩膜层内具有开口，所述开口暴露出所述侧墙两侧的部分所述衬底的表面；对所述侧墙两侧的所述衬底进行第一次离子注入；对所述侧墙两侧的所述衬底进行第二次离子注入，所述第一次离子注入的能量大于所述第二次离子注入的能量，所述第二次离子注入的注入角度大于所述第一次离子注入的注入角度；进行所述第二次离子注入之后，对所述侧墙两侧的所述衬底进行第三次离子注入，形成源漏掺杂区；简化了制造工序，降低了工艺成本，使得半导体器件能够承受更高的电压。
本文源自：金融界
作者：情报员
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