金融界2024年12月25日消息,国家知识产权局信息显示,荣芯半导体(宁波)有限公司申请一项名为“半导体器件及其制作方法”的专利,公开号 CN 119170573 A,申请日期为 2024年11月。
专利摘要显示,本发明提供一种半导体器件及其制作方法。该半导体器件的制作方法包括:提供衬底,在衬底中形成埋层;在衬底的顶面上形成第一外延层,第一外延层覆盖衬底的顶面;在第一外延层中形成第一沟槽,第一沟槽和埋层位置对应;通过离子注入工艺在第一沟槽底面的第一外延层中形成第注入阱埋层和第注入阱的导电类型相同执行热处理工艺,第一注入阱在第一外延层和衬底中扩散,第一注入阱的底面与埋层接触以引出埋层。如此可以提高外延层中的注入阱与衬底中的埋层的连接可靠性,减少半导体器件的漏电,提高半导体器件的电性能。本发明还提供利用上述半导体器件的制作方法制成的半导体器件。
本文源自:金融界
作者:情报员
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