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金融界2024年12月25日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体结构的制造方法、半导体结构及CMOS电路”的专利，公开号CN 119170572 A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本申请实施例提供了一种半导体结构的制造方法、半导体结构及CMOS电路，所述半导体结构的制造方法包括：提供半导体基底；其中，半导体基底包括半导体衬底和覆盖半导体衬底的缓冲层和应力层；半导体衬底包括NMOS区域和PMOS区域；PMOS区域表面形成有PMOS栅极结构；覆盖PMOS栅极结构侧面的缓冲层与覆盖半导体衬底表面的缓冲层形成有邻接区域；去除半导体基底中覆盖PMOS区域的部分应力层，在缓冲层的邻接区域远离半导体衬底的表面形成应力层残留部；在PMOS区域执行离子注入工艺；其中，执行离子注入工艺的区域包括应力层残留部，以使应力层残留部被刻蚀的刻蚀速率增大；刻蚀去除应力层残留部。通过本申请实施例，提升了CMOS电路整体的电学性能。
本文源自：金融界
作者：情报员
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