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金融界2024年12月25日消息，国家知识产权局信息显示，江西萨瑞微电子技术有限公司申请一项名为“一种沟槽型功率器件及其制备方法”的专利，公开号 CN 119170650 A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明提供一种沟槽型功率器件及其制备方法，通过设置转换结构，仅在栅极上施加不同大小的电压就能实现沟槽型功率器件功能的转换，具体的，转换结构由N型掺杂的第一多晶硅和设于第一多晶硅两侧的第二多晶硅组成，转换结构通过第一氧化层与外延层间隔，第一多晶硅包括第一N型部和由第一N型部向远离衬底方向延伸出的第二N型部，第二多晶硅关于第二N型部对称，第二多晶硅与第二N型部之间通过第二氧化层间隔，且第二氧化层的厚度大于第一氧化层的厚度，第一多晶硅与栅极连接，当给栅极施加一个低开启电压时，沟槽型功率器件常规使用即可；当给栅极上施加一个大的开启电压，第一氧化层和第二氧化层旁边的沟道同时导通，此时栅极与漏极相连通。
本文源自：金融界
作者：情报员
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