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金融界2024年12月25日消息，国家知识产权局信息显示，天津国昂玖昀数字科技有限公司申请一项名为“一种具有光调制负微分电阻现象光电探测器的制备方法”的专利，公开号CN 119170711 A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明公开了一种具有光调制负微分电阻现象光电探测器的制备方法，方法包括以下步骤：将机械剥离的MoS2，h‑BN和WS2通过干转移法制备MoS2/h‑BN/WS2异质结，转移上金电极后制备成nBn型单极势垒光电探测器。其特征在于，该发明的特点是MoS2/h‑BN/WS2光电探测器在激光照射下具有负微分电阻现象，这是由于光激发电子产生的量子隧穿效应导致的。研究发现随着光功率的改变负微分电阻现象发生规律性变化，且该器件具有4.7的峰谷电流比值和25.2mA/cm2的峰值电流密度。将电路连上电感后，利用负微分电阻现象应用于高频振荡器，在负微分电阻区域实现了稳定的正弦波振荡。利用光作为负微分电阻现象的控制端，为需要光调制负微分电阻现象的各种电路应用提供了科学基础。
本文源自：金融界
作者：情报员
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